崗位職責:
1. 開展先進器件與芯片的輻照損傷多尺度動力學理論與電-熱-輻射同源性理論研究,發(fā)展基于人工智能的輻照性能退化預測模型,實現(xiàn)芯片抗輻照能力的高通量、高精度仿真預測與可靠性評估;
2. 開展基于低維材料的異質集成技術研究,聚焦新材料、新結構、新工藝協(xié)同創(chuàng)新研究,顯著提升器件與電路的電學性能與抗輻照能力;
3. 負責特種器件及先進器件工作機理及模型研究;
4. 申請相關科研項目,發(fā)表高水平論文,負責團隊建設等工作;
5. 完成領導交辦的其他任務。
崗位要求:
1. 微電子、電子、材料等相關專業(yè)背景,博士研究生;
2. 熟悉先進MOS器件工藝流程,能夠借助TCAD軟件開展器件工藝仿真、電熱特性研究;
3. 能夠熟練使用相關器件測試設備及TCAD仿真軟件與參數(shù)提取軟件等;
4. 有參與科研項目的經(jīng)歷,熟悉項目申報、實施、結題等流程;
5. 具備良好的技術文檔及中英文文獻讀寫能力;
6. 具有責任心、邏輯分析能力、創(chuàng)新精神,具備良好的溝通及團隊合作能力。