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崗位職責
1.電路設計： 負責NAND Flash存儲芯片中關(guān)鍵模擬電路的設計與實現(xiàn)，包括但不限于：高精度電壓/電流基準源、電荷泵、靈敏放大器、高壓編程/擦除電路、振蕩器、IO接口電路等。
2.仿真與驗證： 使用行業(yè)標準EDA工具（如Cadence, Synopsys）進行電路前仿、后仿、蒙特卡洛分析、可靠性仿真（如EM, IR-drop）等，確保電路在各種工藝角（PVT）下的性能、功耗和可靠性。
3.版圖指導與驗證： 與版圖工程師緊密合作，指導并審核關(guān)鍵模擬模塊的版圖設計，確保其符合匹配、隔離、抗 latch-up 等設計要求。
4.芯片測試與調(diào)試： 參與芯片測試方案的制定，協(xié)助測試工程師進行硅后測試、數(shù)據(jù)分析、問題定位和性能調(diào)優(yōu)，直至芯片量產(chǎn)。
任職要求
1. 微電子、電子工程及相關(guān)專業(yè)碩士及以上學歷；
2. 5年以上模擬/混合信號IC設計經(jīng)驗，具有NAND Flash或NOR Flash相關(guān)芯片設計經(jīng)驗者優(yōu)先。
3.熟悉CMOS工藝和器件物理，對深亞微米工藝效應有深入理解。
4.精通Cadence Virtuoso, Spectre, APS等IC設計工具。
5.具備豐富的電路仿真和調(diào)試經(jīng)驗，熟練掌握各種仿真方法和流程。