崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)新型薄膜材料及工藝的研發(fā),優(yōu)化薄膜沉積(如CVD、PVD、ALD等)工藝參數(shù),提升器件性能及良率;設(shè)計(jì)并執(zhí)行DOE實(shí)驗(yàn),分析工藝窗口,推動(dòng)薄膜工藝的持續(xù)改進(jìn);
2、對薄膜材料特性(如厚度、應(yīng)力、均勻性)、缺陷數(shù)據(jù)及電性測試結(jié)果進(jìn)行深度分析,識別關(guān)鍵影響因素;主導(dǎo)薄膜相關(guān)異常問題的根因分析,制定解決方案并驗(yàn)證;
3、與器件設(shè)計(jì)、整合、制造等部門緊密合作,確保薄膜工藝滿足產(chǎn)品性能需求;支持新工藝從研發(fā)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)移,協(xié)助解決量產(chǎn)過程中的工藝問題;
4、跟蹤薄膜技術(shù)領(lǐng)域前沿進(jìn)展,評估新工藝、新材料的可行性;
5、熟悉薄膜設(shè)備硬件架構(gòu),參與設(shè)備選型及調(diào)試,提升工藝穩(wěn)定性;
任職要求:
1、物理、光學(xué)、電子工程、化學(xué)工程、材料科學(xué)、數(shù)學(xué)等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷,6年以上工作經(jīng)驗(yàn);
2、熟悉DRAM/CMOS相關(guān)的電性及可靠性特性;
3、具有低電阻(Low Rs)金屬材料研究及工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn);具備先進(jìn)CMOS工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)(如HKMG高介電金屬柵極技術(shù))者優(yōu)先;
4、良好的溝通與團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力;擅長解決復(fù)雜問題,有領(lǐng)導(dǎo)跨職能專項(xiàng)任務(wù)組的經(jīng)驗(yàn);