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工作職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)IGBT與 SiC 科研產(chǎn)品測(cè)試驗(yàn)證與性能評(píng)測(cè)，相關(guān)測(cè)試技術(shù)開(kāi)發(fā)；
2、負(fù)責(zé)IGBT與 SiC 測(cè)試規(guī)范制定與實(shí)施，量產(chǎn)測(cè)試支持，產(chǎn)品質(zhì)量提升；
3、負(fù)責(zé)IGBT與 SiC測(cè)試平臺(tái)能力建設(shè)與完善；
4、負(fù)責(zé)IGBT與 SiC 芯片與模塊應(yīng)用支持，數(shù)據(jù)手冊(cè)制定。
背景要求：
1、本科及以上學(xué)歷，電氣工程，電力電子，電氣自動(dòng)化、機(jī)電一體化等專業(yè)。
2、熟練掌握電路、電力電子等相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)；
3、了解IGBT芯片及模塊的結(jié)構(gòu)及工藝，熟悉IGBT 的測(cè)試及應(yīng)用；
4、熟練掌握示波器使用，熟悉雙脈沖測(cè)試電路搭建，了解動(dòng)靜態(tài)、功率測(cè)試及相關(guān)設(shè)備構(gòu)成；
5、具備較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能為及學(xué)習(xí)意愿。